Badanie tranzystorów bipolarnych1


Dane o badanym tranzystorze bipolarnym :

1. Wyznaczenie charakterystyk wyjściowych i wejściowych trazystora w układzie WE

Tabela pomiarów do wykreślenia charakterystyk wyjściowych.

Charakterystyki IC = f(UCE)

IB = 150 mA

IB = 250 mA

IB = 350 mA

UCE [V]

IC [mA]

UCE [V]

IC [mA]

UCE [V]

IC [mA]

0,5

10

0,5

17,7

0,5

23

1

10,4

1

18,5

1

24,8

2

11,1

2

19,8

2

26,9

3

11,7

3

21,2

3

29,2

4

12,3

4

22,7

4

32,2

5

13

5

24,7

5

35,8

6

13,7

6

26,5

6

40

7

14,5

7

28,7

7

44,6

8

15,3

8

31

8

50

9

16,2

9

33,7

9

68

10

16,9

10

35,7

10

80

Charakterystyka dla IB = 150 mA

0x01 graphic

Charakterystyka dla IB = 250 mA 0x01 graphic

Charakterystyka dla IB = 350 mA

0x01 graphic

Tabela pomiarów do wykreślenia charakterystyk wejściowych tranzystora.

Charakterystyki IB = f(UBE)

UCE = 3,14 V

UCE = 6,21 V

UCE = 9,25 V

UBE [mV]

IB [mA]

UBE [mV]

IB [mA]

UBE [mV]

IB [mA]

91

0,1

71

0,1

75

0,1

188

0,2

223

0,2

178

0,2

263

0,3

282

0,3

267

0,3

398

0,4

368

0,4

360

0,4

564

0,7

459

0,5

479

0,5

581

0,9

542

0,6

533

0,6

611

1,3

568

0,8

578

0,9

647

5,4

600

1,3

601

1,4

662

9

613

1,9

624

2,5

671

12,6

643

5

657

11,4

676

15,9

661

10,4

661

15,8

686

22,8

669

15,4

664

20,4

Charakterystyka dla UCE = 3,14 V

0x01 graphic

Charakterystyka dla UCE = 6,21 V

0x01 graphic

Charakterystyka dla UCE = 9,25 V

0x01 graphic

2. Wyznaczenie charakterystyk wyjściowych układzie WB

Tabela pomiarów do wykreślenia charakterystyk wyjściowych.

Charakterystyki IC = f(UCB)

IE = 1,82 mA

IE = 1,82 mA

UCB [V]

IC [mA]

UCB [V]

IC [mA]

0,1

1,82

0,4

3,12

0,5

1,83

0,8

3,13

1

1,83

2

3,14

1,52

1,83

3

3,14

2

1,83

4

3,15

2,5

1,83

5

3,15

3

1,83

6

3,17

3,5

1,84

7

3,17

5

1,85

8

3,18

6

1,86

9

3,19

8,7

1,87

10

3,19

11

3,22

12

3,24

13

3,25

16

3,27

18

3,28

Charakterystyka dla IE = 1,82 mA

0x01 graphic

Charakterystyka dla IE = 3,2 mA

0x01 graphic

WNIOSKI :

Wyznaczone przez nas charakterystyki wyjściowe tranzystora bipolarnego w układzie WE odbiegają od ich idealnego przebiegu. Spowodowne to być może błędami obarczającymi pomiar. Najlepsze przybliżenie oddaje charakterystyka dla

IB = 250 mA. Charakterystyki wejściowe tranzystora bipolarnego w układzie WE przedstawiają się znakomicie. Z otrzymanych charakterystyk stwierdziliśmy, że nasz tranzystor jest krzemowy ( napięcie progowe UTO znajduje się w przedziale 0,5..0,8 V).

Gwałtowny wzrost prądu IB obserwujemy dla UBE równego około 0,6 V dla każdej

z charakterystyk.

W układzie WB wyznaczyliśmy charakterystyki wyjściowe. Są one bardziej zbliżone do modelowych niż te które wyznaczyliśmy w układzie WE. Szczególnie dobrze wyszła nam charakterystyka wyjściowa tranzystora bipolarnego dla

IE = 3,2 mA.

Ocena

Nr

ćwiczenia

3

Grupa

laborat.

nr

Albert Górski

Tomasz Kamiński

Marek Biadacz

W.S.Inż. w Zielonej Górze

wydział Elektryczny

Sprawdził

Data odd.

srawozdania

30.05.96

Data wyk.

ćwiczenia

25.04.96

09.05.96

Temat ćwiczenia :

Badanie tranzystorów bipolarnych.

LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Badanie tranzystora bipolarnego
Badanie wzmacniacza szerokopasmowego, Ćwiczenie nr 23: -Badanie tranzystora bipolarnego -
Podstaw wzm tranzyst, Ćwiczenie nr 23: -Badanie tranzystora bipolarnego -
Badanie tranzystora bipolarnego, Zespół Szkół Elektrycznych nr 1 w Poznaniu
Badanie tranzystorów bipolarnych
%c6w %203%20 %20Badanie%20tranzystor%f3w%20bipolarnych
Badanie tranzystorów bipolarnego i unipolarnego doc
Badanie tranzystora bipolarnego
Badanie tranzystorów bipolarnych 3
Badanie tranzystorów bipolarnych
%c6w %203%20 %20Badanie%20tranzystor%f3w%20bipolarnych
Badanie tranzystora, Tranzy~1o, Tranzystor bipolarny NPN
Badanie charakterystyk tranz

więcej podobnych podstron